特許
J-GLOBAL ID：200903057255733106

可変抵抗素子および半導体装置

発明者：
田中 圭介

田中 圭介 について

, 
加藤 剛久

加藤 剛久 について

, 
魏 志強

魏 志強 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304461
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120707
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 還元雰囲気あるいは酸化雰囲気での工程を含む製造過程を経て形成される場合にあっても、構成要素がダメージを受け難く、高い歩留まりで安定した品質が確保できる可変抵抗素子および半導体装置を提供する。 【解決手段】 メモリ素子1における可変抵抗素子部101は、金属酸化物材料から形成され、制御条件(電圧パルスの印加)に応じて抵抗変化を生じる可変抵抗層22をその構成要素として有している。可変抵抗素子部101では、可変抵抗層22を囲む周辺領域に、可変抵抗層22への水素の拡散を抑制する水素バリア層26、下部電極19における水素バリア層19a、および水素の拡散抑制機能を有する埋め込み絶縁層21が形成されている 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属酸化物材料から形成され、制御条件に応じて抵抗変化を生じる可変抵抗層を有してなる可変抵抗素子であって、 前記可変抵抗層を囲む周辺の少なくとも一部領域には、前記可変抵抗層への水素の拡散を抑制する機能を有する水素拡散抑制層が形成されている ことを特徴とする可変抵抗素子。
IPC (7件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G11C 13/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (6件)：
H01L27/04 V ,  G11C13/00 A ,  H01L27/10 451 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (23件)：
5F038AV07 ,  5F038AV17 ,  5F038CA16 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA25 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許6204139号公報
審査官引用 (8件)
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