特許
J-GLOBAL ID：200903055665333196

半導体装置およびその製造方法

発明者：
野間 淳史

野間 淳史 について

, 
長野 能久

長野 能久 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178104
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022930
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】水素雰囲気中での処理においても容量素子の特性劣化を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板101上に形成された容量素子112と、容量素子112を被覆するように形成された第1の水素透過防止膜107と第2の水素透過防止膜114を有し、第1の水素透過防止膜107と第2の水素透過防止膜114との接合界面部分に、両者の構成成分を熱処理によって相互拡散させることにより形成された接合強化層を備えている。これにより、水素が第1および第2の水素透過防止膜間の接合界面部分を拡散して容量素子内部に侵入することを極めて効果的に防止できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された容量素子と、前記容量素子を被覆するように形成された複数の水素透過防止膜を有し、前記水素透過防止膜どうしの接合界面部分に接合強化層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108
FI (3件)：
H01L27/10 444B ,  H01L27/10 621B ,  H01L27/10 651
Fターム (12件)：
5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (10件)
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