特許
J-GLOBAL ID：200903057597805281

レジスト組成物、レジスト積層体、レジストパターンの形成方法、及びイオン注入基板の製造方法

発明者：
宮入 美和

宮入 美和 について

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羽田 英夫

羽田 英夫 について

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岩井 武

岩井 武 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-022214
公開番号（公開出願番号）：特開2004-233656
出願日： 2003年01月30日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】本発明は、レジスト膜が支持体から割れたり剥離してしまうという問題、特に、比較的大面積で剥離してしまうという問題を解消したレジスト組成物、及びこれを用いたレジスト積層体、レジストパターンの形成方法、及びイオン注入基板の製造方法を提供するを提供する。【解決手段】支持体上に膜厚1000nmを超え、かつ2000nm以下のレジスト膜を形成するために用いられるレジスト組成物であって、(A)酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分と、(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分と、(C)有機溶剤とを含み、前記(C)有機溶剤が、(c1)乳酸エチル、及びプレベーク時に乳酸エチルと同等以上に残存しにくい溶剤から選ばれる溶剤と、(c2)プレベーク時に乳酸エチルより残存しやすい溶剤との混合溶剤であるレジスト組成物を製造する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
支持体上に膜厚1000nmを超え、かつ2000nm以下のレジスト膜を形成するために用いられるレジスト組成物であって、 (A)酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分と、(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分と、(C)有機溶剤とを含み、 前記(C)有機溶剤が、(c1)乳酸エチル、及びプレベーク時に乳酸エチルと同等以上に残存しにくい溶剤から選ばれる溶剤と、(c2)プレベーク時に乳酸エチルより残存しやすい溶剤との混合溶剤であることを特徴とするレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (3件)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (14件)：
2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025DA18 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA39
引用特許：
審査官引用 (12件)
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