特許
J-GLOBAL ID：200903057615267152

不揮発性メモリ用可変抵抗およびその製造方法並びに不揮発性メモリ

発明者：
早川 幸夫

早川 幸夫 について


出願人/特許権者：
スパンション エルエルシー

スパンション エルエルシー について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-290103
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117668
出願日： 2007年11月07日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】製造工程が削減可能な不揮発性メモリ用可変抵抗およびその製造方法並びに不揮発性メモリを提供すること。【解決手段】本発明は、第1配線層12表面に設けられた可変抵抗層14と、第1配線層12上に設けられた層間絶縁膜20と、層間絶縁膜20内に設けられ可変抵抗層14に接続するプラグ金属23と、を具備する不揮発性メモリ用可変抵抗およびその製造方法並びに不揮発性メモリである。本発明によれば、層間絶縁膜を1層で可変抵抗が形成できる。よって、製造工程を削減することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1配線層表面に設けられた可変抵抗層と、 前記第1配線層上に設けられた層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜内に設けられ前記可変抵抗層に接続するプラグ金属と、 を具備することを特徴とする不揮発性メモリ用可変抵抗。
IPC (5件)：
H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 43/08
FI (6件)：
H01L27/10 451 ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M
Fターム (21件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA28 ,  5F083JA12 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC14 ,  5F092BE15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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