特許
J-GLOBAL ID：200903057831579495

研磨方法

発明者：
松田 剛

松田 剛 について

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平野 達彦

平野 達彦 について

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呉 俊輝

呉 俊輝 について

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河村 篤紀

河村 篤紀 について

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酒井 謙児

酒井 謙児 について


出願人/特許権者：
株式会社フジミインコーポレーテッド

株式会社フジミインコーポレーテッド について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-358551
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123482
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 ディッシングの進行及びエロージョンの進行を抑制することにより、表面段差を抑制することができる研磨方法を提供する。【解決手段】 研磨方法は、導体膜の一部を研磨する第1の研磨工程と、バリア膜が露出するまで導体膜を研磨する第2の研磨工程と、バリア膜を研磨する第3の研磨工程とを備えている。第2の研磨工程、又は第1及び第2の研磨工程には、(a)界面活性剤、(b)酸化ケイ素、(c)カルボン酸、(d)防食剤、(e)酸化剤及び(f)水を含有する第1研磨用組成物が用いられる。又は(A)α-アミノ酸、(B)ベンゾトリアゾール誘導体、(C)酸化ケイ素、(D)界面活性剤、(E)酸化剤及び(F)水を含有する第1研磨用組成物が用いられる。一方、第3の研磨工程には、(g)コロイダルシリカ、(h)酸、(i)防食剤、(j)完全けん化型ポリビニルアルコール及び(k)水を含有する第2研磨用組成物が用いられる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
半導体基板の研磨方法であって、バリア膜が露出する前に研磨を終了するように導体膜を研磨する第1の研磨工程と、バリア膜が露出するまで導体膜を研磨する第2の研磨工程と、絶縁膜が露出するまでバリア膜を研磨する第3の研磨工程とを備え、 第2の研磨工程、又は第1及び第2の研磨工程に下記(a)〜(f)の各成分を含有する第1研磨用組成物を用いるとともに、第3の研磨工程に下記(g)〜(k)の各成分を含有する第2研磨用組成物を用いる研磨方法。 (第1研磨用組成物) (a):下記一般式(1)〜(7)のいずれか一つで示される化合物及びその塩から選ばれる少なくとも一種を含む界面活性剤
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14
FI (5件)：
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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