特許
J-GLOBAL ID：200903058999726597
コンタクトプローブ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大槻 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155832
公開番号（公開出願番号）：特開2008-309534
出願日： 2007年06月13日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】 コンタクトプローブを接合するための低融点層を簡単に形成することができるコンタクトプローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 2以上の導電層11を積層することによりコンタクトプローブ1のベース部2を形成し、積層された導電層11における当該導電層11が延びる方向に対して交差する端面11Aに沿って、導電層11よりも融点の低い導電材料からなる低融点層12を形成する。このような低融点層12は、導電層11を積層してコンタクトプローブ1を形成する工程中に簡単に形成することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
2以上の導電層を積層することにより形成されたコンタクトプローブであって、
積層された上記2以上の導電層における当該導電層が延びる方向に対して交差する端面に沿って、上記導電層よりも融点の低い導電材料からなる低融点層が形成されたことを特徴とするコンタクトプローブ。
IPC (3件)：
G01R 1/067
, G01R 31/26
, H01L 21/66
G01R1/067 G
, G01R31/26 J
, H01L21/66 B
2G003AA10
, 2G003AG03
, 2G003AG04
, 2G003AH00
, 2G011AA21
, 2G011AB01
, 2G011AC14
, 2G011AE03
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106DD03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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