特許
J-GLOBAL ID:200903037553461827
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-265551
公開番号(公開出願番号):特開2005-026707
出願日: 2004年09月13日
公開日(公表日): 2005年01月27日
要約:
【課題】半導体基板表面のRIE処理による汚染を防止する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板上に選択的に形成されたゲート絶縁膜211と、このゲート絶縁膜211上に形成されたゲート電極214と、このゲート電極214の側面に形成された側壁と、ゲート絶縁膜211の両側の半導体基板上に半導体基板の表面より高く形成されたソース・ドレイン領域205,208とを具備し、側壁が誘電率の異なる絶縁膜で形成されている。【選択図】 図13
請求項(抜粋):
半導体基板上に選択的に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側面に形成された側壁と、
前記ゲート絶縁膜の両側の前記半導体基板上に前記半導体基板の表面より高く形成されたソース・ドレイン領域と
を具備し、
前記側壁が誘電率の異なる絶縁膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L29/78
, H01L21/28
, H01L21/8238
, H01L27/092
, H01L29/417
FI (4件):
H01L29/78 301S
, H01L21/28 301S
, H01L29/50 M
, H01L27/08 321E
Fターム (108件):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB20
, 4M104BB21
, 4M104BB22
, 4M104BB23
, 4M104BB25
, 4M104BB30
, 4M104DD02
, 4M104DD03
, 4M104DD09
, 4M104DD17
, 4M104DD26
, 4M104DD50
, 4M104DD75
, 4M104DD78
, 4M104DD84
, 4M104EE05
, 4M104EE09
, 4M104EE15
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104FF18
, 4M104FF26
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 5F048AA07
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F048BC01
, 5F048BC05
, 5F048BF06
, 5F048BG13
, 5F048DA24
, 5F048DA25
, 5F048DA27
, 5F048DA30
, 5F140AA00
, 5F140AA06
, 5F140AA10
, 5F140AA13
, 5F140AA19
, 5F140AA24
, 5F140AA26
, 5F140AB03
, 5F140BA01
, 5F140BD01
, 5F140BD02
, 5F140BD05
, 5F140BD07
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BE03
, 5F140BE06
, 5F140BE07
, 5F140BE10
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF10
, 5F140BF11
, 5F140BF17
, 5F140BF20
, 5F140BG04
, 5F140BG08
, 5F140BG09
, 5F140BG10
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG17
, 5F140BG20
, 5F140BG22
, 5F140BG28
, 5F140BG31
, 5F140BG36
, 5F140BG38
, 5F140BG39
, 5F140BG40
, 5F140BG41
, 5F140BG45
, 5F140BG49
, 5F140BG54
, 5F140BG58
, 5F140BH05
, 5F140BH06
, 5F140BH14
, 5F140BH27
, 5F140BJ01
, 5F140BJ08
, 5F140BK02
, 5F140BK08
, 5F140BK09
, 5F140BK13
, 5F140BK16
, 5F140BK18
, 5F140BK19
, 5F140BK21
, 5F140BK23
, 5F140BK34
, 5F140BK39
, 5F140CB04
, 5F140CC03
, 5F140CC12
, 5F140CE07
, 5F140CE20
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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