酸化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：青山葆 , 河宮治 , 山崎宏 , 前田厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-015885
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228401
出願日： 2003年01月24日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】n型酸化物半導体層に対して密着性に優れ、且つ低抵抗なオーミック電極を備えた酸化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明の酸化物半導体発光素子1は、サファイア基板2(基板)上に、n型ZnOコンタクト層3(n型酸化物半導体層)と、n型クラッド層4と、発光層5と、p型クラッド層6と、p型コンタクト層7とからなる成長層を積層した酸化物半導体発光素子1において、成長層の一部をエッチングすることにより露出したn型ZnOコンタクト層3上に、遷移金属Ni,Cu,Agを含まない遷移金属の酸化物からなるn型オーミック電極10を設けたものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、n型酸化物半導体層と、n型クラッド層と、発光層と、p型クラッド層と、p型コンタクト層とからなる成長層を積層した酸化物半導体発光素子において、前記成長層の一部をエッチングすることにより露出した前記n型酸化物半導体層上に、遷移金属Ni,Cu,Agを含まない遷移金属の酸化物からなるオーミック電極を設けたことを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L33/00 , C23C14/08 , H01L21/28

FI (5件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 D , C23C14/08 N , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (33件)：

4K029BA43 , 4K029BA48 , 4K029BD00 , 4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD35 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041CA04 , 5F041CA41 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA98

引用特許：

審査官引用 (8件)

AlGaInP発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-220592 出願人：昭和電工株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-010135 出願人：松下電子工業株式会社
酸化チタン膜の堆積方法、および半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-181265 出願人：松下電器産業株式会社

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