薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：永井道彰 , 小倉啓七
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-080387
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244025
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】品質の高い多結晶シリコン薄膜を形成でき、かつ、結晶化のためのアニール処理時間を短縮できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】アモルファス膜を堆積させる工程と、金属を該アモルファス膜に配設する工程と、該金属とアモルファス膜をアニール処理する工程とを含み、アモルファス膜を結晶化して薄膜トランジスタのチャンネル部分を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、アニール処理は500°C以上でガラス劣化温度以下の温度を上限温度としてパルス的に加熱する。また、パルス回数とグレインサイズの間には相関を利用して、パルス回数により、グレインサイズを制御して結晶成長させる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

アモルファス膜を堆積させる工程と、ドット状若しくは粒子状の金属を該アモルファス膜に配設する工程と、該金属とアモルファス膜をアニール処理する工程と、を含み、アモルファス膜を結晶化して薄膜トランジスタのチャンネル部分を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、前記アニール処理は、500°C以上でガラス劣化温度以下の温度を上限温度として、パルス的に加熱処理が行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G

Fターム (27件)：

5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP23 , 5F110PP34 , 5F110PP36 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CE05 , 5F152CE13 , 5F152CE24 , 5F152CF18 , 5F152CF27 , 5F152EE16 , 5F152FF11 , 5F152FF29 , 5F152FG03

引用特許：

出願人引用 (2件)

アモルファス膜の結晶化方法および薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-173627 出願人：シャープ株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2006306307 出願人：国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学

審査官引用 (5件)

パルス状の急速な熱アニーリングによる多結晶シリコンの成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-187103 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置の作製方法並びに熱処理装置及び熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-313318 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体膜のレーザーアニール方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-039684 出願人：三洋電機株式会社

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