特許
J-GLOBAL ID：200903061603399832

成膜方法、成膜装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
中林 正明

中林 正明 について


出願人/特許権者：
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 川上 光治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-300400
公開番号（公開出願番号）：特開2009-129963
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】原料ガス中の有機溶媒成分を効率よく除去するとともに原料ガスに含まれる有機金属化合物の分解を抑制することができる成膜方法と成膜装置を提供する。【解決手段】金属有機化合物を有機溶媒に溶解した溶液を気化して原料ガスを生成する工程と、原料ガスを、基板1の設置された反応室10内に導入する工程と、を有し、原料ガスが基板1に到達する前に、貴金属を含む触媒と原料ガスと酸素ガスとを接触させ、有機溶媒を分解した上で、基板1上に金属を含む膜2を成膜する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属有機化合物を有機溶媒に溶解した溶液を気化して原料ガスを生成する工程と、 前記原料ガスを、基板の設置された反応室内に導入する工程と、を有し、 前記原料ガスが前記基板に到達する前に、貴金属を含む触媒と前記原料ガスと酸素ガスとを接触させ、前記有機溶媒を分解した上で、前記基板上に金属を含む膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/31 B ,  C23C16/44 B
Fターム (31件)：
4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA17 ,  4K030HA03 ,  4K030HA04 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA25 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AD06 ,  5F045AF01 ,  5F045BB17 ,  5F045CA05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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