Cu(Ga及び(又は)In)Se2薄膜層、Cu(InGa)(S、Se)2薄膜層、太陽電池、Cu(Ga及び(又は)In)Se2薄膜層の形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-130893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329877
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】Cu(Ga及び(又は)In)Se2薄膜層、Cu(InGa)(S,Se)2 薄膜層、太陽電池、Cu(Ga及び(又は)In)Se2薄膜層の形成方法及びCu(InGa)(S、Se)2薄膜層の形成方法を提供【解決手段】Cu(Ga及び(又は)In)Se2薄膜層に関し、気体状の十分に過剰なSeの存在下でCuに比較して化学量論量より過剰の気体状のGa及び(又は)Inを、気体状で供給して薄膜層を形成し、400°Cから500°Cの温度範囲で酸素存在下にアニーリングし、表面に形成される酸化ガリウム及び(又は)酸化インジウム層をエッチングすることにより除去して得られる薄膜であることを特徴とするCu(Ga及び(又は)In)Se2薄膜層

請求項（抜粋）：

Cu(Ga及び(又は)In)Se2薄膜層に関し、気体状の十分に過剰なSeの存在下でCuに比較して化学量論量より過剰の気体状のGa及び(又は)Inを、気体状で供給して薄膜層を形成し、400°Cから500°Cの温度範囲で酸素存在下にアニーリングし、表面に形成される酸化ガリウム及び(又は)酸化インジウム層をエッチングすることにより除去して得られる薄膜であることを特徴とするCu(Ga及び(又は)In)Se2薄膜層。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , C22C 28/00 , H01L 21/308

FI (3件)：

C22C 28/00 Z , H01L 21/308 C , H01L 31/04 E

Fターム (13件)：

5F043AA40 , 5F043BB27 , 5F043BB30 , 5F051AA10 , 5F051CB14 , 5F051CB24 , 5F051CB29 , 5F051DA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA15 , 5F051GA04 , 5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (11件)

太陽電池薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-287494 出願人：工業技術院長
薄膜太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-266387 出願人：株式会社富士電機総合研究所
カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法及びそれを有する太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-082084 出願人：矢崎総業株式会社

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