特許
J-GLOBAL ID：200903062406500005
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-061078
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261106
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】高品質の半導体発光素子、半導体受光素子、半導体光変調器、およびこれらの素子を集積化した光集積回路を安価に提供すること。【解決手段】絶縁性あるいは半絶縁性基板1上に形成された半導体装置であって、能動素子部の積層構造6〜11と、基板1に近い電極15との間に、電子親和力の小さい半導体層4と不純物が添加された電子親和力の大きい半導体層5とよりなる積層構造を有することを特徴とする半導体装置によって上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
絶縁性あるいは半絶縁性基板上に形成され、横方向にキャリアを走行させるための導電層を素子部の積層構造の下部に有する半導体装置において、前記導電層が、電子親和力の小さい第1の半導体層と不純物が添加された電子親和力の大きい第2の半導体層とをこの順に積層してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 31/00 Z
