特許
J-GLOBAL ID:200903097722736744

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-340043
公開番号(公開出願番号):特開2004-179192
出願日: 2002年11月22日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】高書き込み効率と高書き込み再現性を実現する。【解決手段】書き込み線5は、ヨーク材8により被覆される。MTJ素子6の記録層1Aは、ヨーク材8と交換結合している。MTJ素子6の記録層1Aとその記録層1Aと交換結合する部分のヨーク材8とのトータルの磁気ボリューム Σ Msi*ti の値は、書き込み線5を覆うその他の部分のヨーク材8の磁気ボリューム Σ Msi’*ti’ の値よりも小さい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
データを記録するための第1磁性層を有するメモリセルと、前記第1磁性層に磁界を与えるための書き込み線と、前記書き込み線の全体又は一部を覆う第2磁性層とを具備し、前記第1磁性層は、前記第2磁性層と交換結合し、かつ、前記第1磁性層の第1磁気ボリュームMs1*t1と前記第2磁性層のうち前記第1磁性層に交換結合する第1部分の第2磁気ボリュームMs2*t2との合計値は、前記第2磁性層のうち前記第1部分以外の第2部分の主要部の第3磁気ボリュームMs’*t’の値よりも小さい (但し、Ms1は、前記第1磁性層の飽和磁化、t1は、前記第1磁性層の厚さ、Ms2は、前記第2磁性層の前記第1部分の飽和磁化、t2は、前記第2磁性層の前記第1部分の厚さ、Ms’は、前記第2磁性層の前記第2部分の主要部の飽和磁化、t’は、前記第2磁性層の前記第2部分の主要部の厚さである。)ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件):
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (4件):
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 120 ,  H01L43/08 Z
Fターム (6件):
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39
引用特許:
審査官引用 (10件)
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