特許
J-GLOBAL ID：200903062662419495

MOSトランジスタ及びその製造方法

発明者：
粉谷 直樹

粉谷 直樹 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211677
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044437
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流を抑制しつつ、MOSトランジスタのソース領域及びドレイン領域を浅く形成できるようにする。【解決手段】 SOI基板50の上に第1のゲート電極10Aを形成した後、SOI基板50の上に全面に亘って成長させたアモルファスシリコン膜をパターニングして、SOI基板50上における第1のゲート電極10Aの側方の領域にnMOS用ソース電極18及びnMOS用ドレイン電極19をそれぞれ形成し、その後、該電極に砒素イオンを注入する。SOI基板50に対して熱処理を行なって、nMOS用ソース電極18及びnMOS用ドレイン電極19に注入された砒素イオンをSOI基板50に拡散させることにより、n型高濃度ソース領域23A及びn型高濃度ドレイン領域23Bを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板上における前記ゲート電極の側方の領域にそれぞれ形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記半導体基板における前記ソース電極の下側の領域及び前記ドレイン電極の下側の領域にそれぞれ形成されたソース領域及びドレイン領域とを備え、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記半導体基板上における少なくとも前記ゲート電極の側方の領域に成膜されたアモルファスシリコン膜がパターニングされることによって形成され、前記ソース領域及びドレイン領域は、前記ソース電極及びドレイン電極に注入された不純物が前記半導体基板に拡散されることによって形成されていることを特徴とするMOSトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 616 L
Fターム (41件)：
5F040DA06 ,  5F040DA10 ,  5F040DB03 ,  5F040EB12 ,  5F040EC07 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040EK05 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FB02 ,  5F040FB07 ,  5F040FC13 ,  5F110AA02 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA17 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ14 ,  5F110HK05 ,  5F110HK08 ,  5F110HK25 ,  5F110HK27 ,  5F110HL05 ,  5F110HL08 ,  5F110HL26 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ05
引用特許：
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM