特許
J-GLOBAL ID:200903062750617469

光周波数コム発生器及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-097166
公開番号(公開出願番号):特開2003-295140
出願日: 2002年03月29日
公開日(公表日): 2003年10月15日
要約:
【要約】【課題】 研磨時に生じる基板のエッジ部分の損傷を軽減させる。【解決手段】 xカット或いはyカットの基板11内に導波路12を形成する光導波路形成工程と、基板11上において、導波路12の両側に互いに平行するよう電極13を形成する電極形成工程と、互いに平行な入射側反射膜14及び出射側反射膜14を導波路12の光入射端及び光出射端に夫々積層する反射膜積層工程に加え、新たに導波路12における光入射端の上部及び光出射端の上部において膜厚が電極13の膜厚以上であり光入射端或いは光出射端に近づくにつれて幅が広くなるように金属層15を形成する金属層形成工程と、金属層15が形成された複数の基板11を積層して、光入射端及び光出射端を同時に研磨する研磨工程を設ける。
請求項(抜粋):
所定の周波数の変調信号を発振する発振手段と、互いに平行な入射側反射膜及び出射側反射膜から構成され、入射側反射膜を介して入射された光を共振させる共振手段と、電界が印加されることにより屈折率が変化する電気光学結晶からなり、xカット或いはyカットの基板内に形成され、上記入射側反射膜と上記出射側反射膜が光入射端と光出射端に夫々配され、上記発振手段から供給された上記変調信号に応じて上記共振手段において共振された光の位相を変調して、上記入射された光の周波数を中心としたサイドバンドを上記変調信号の周波数の間隔で生成する光導波路と、上記基板上において、上記光導波路の両側に互いに平行するように配され、上記発振手段から発振された変調信号に基づき上記導波路に電界を印加するための電極と、上記光導波路における光入射端の上部及び光出射端の上部に夫々配される金属層を備え、上記金属層の膜厚は、上記電極の膜厚以上であり、また上記金属層の幅は、光入射端或いは光出射端に近づくにつれて広くなることを特徴とする光周波数コム発生器。
IPC (3件):
G02F 1/035 ,  G02F 1/03 505 ,  G02F 2/02
FI (3件):
G02F 1/035 ,  G02F 1/03 505 ,  G02F 2/02
Fターム (21件):
2H079AA03 ,  2H079AA12 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079CA24 ,  2H079DA03 ,  2H079EA03 ,  2H079EA21 ,  2H079EA28 ,  2H079EB05 ,  2H079EB12 ,  2H079JA08 ,  2K002AA02 ,  2K002AA04 ,  2K002AB12 ,  2K002AB40 ,  2K002CA03 ,  2K002DA06 ,  2K002EA03 ,  2K002EB05 ,  2K002HA03
引用特許:
審査官引用 (9件)
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