特許
J-GLOBAL ID：200903062926408047

半導体装置およびその製造方法

発明者：
西田 浩二

西田 浩二 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-115664
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294976
出願日： 2005年04月13日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 半導体パッケージの実装面積を小さく保ちつつ、外部接続端子数を増加させる。【解決手段】 半導体装置100は、基板101と、基板101の素子搭載面に搭載された半導体素子(不図示)と、半導体チップ131を封止する封止樹脂103と、基板101の周縁近傍における裏面または基板101の側面に露出面を有する追加電極111と、を有する。また、基板101の素子搭載面の裏面にボール状の複数のボール105が配置される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子搭載基板と、 前記半導体素子搭載基板の素子搭載面に搭載された半導体素子と、 前記半導体素子を封止する封止樹脂と、 前記半導体素子搭載基板の周縁近傍における裏面または前記半導体素子搭載基板の側面に露出面を有する第一電極と、 を有し、 前記半導体素子搭載基板の前記素子搭載面の前記裏面にボール状の複数の第二電極が配置されることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 23/12
FI (3件)：
H01L23/12 501Z ,  H01L23/12 L ,  H01L23/12 Q
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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