特許
J-GLOBAL ID：200903063100700872

窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法

発明者：
山口 勤

山口 勤 について

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太田 潔

太田 潔 について

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野村 康彦

野村 康彦 について

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後藤 壮謙

後藤 壮謙 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279020
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305358
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】低コンタクト性を損なうことなく、電極層全体の窒化物系半導体層に対する付着力を強くすることによって、低動作電圧で、かつ、信頼性の高い窒化物系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 この窒化物系半導体レーザ素子は、p型GaNコンタクト層108と、p型GaNコンタクト層108上に形成され、p型GaNコンタクト層108に対する付着力の強い材料を含む3nm以下の厚みを有するPt電極層109と、Pt電極層109上に形成され、Pt電極層109よりもp型GaNコンタクト層108に対する付着力が弱いとともに、Pt電極層109よりもp型GaNコンタクト層108に対するコンタクト抵抗が低いPd層を含むPd系電極層110とを備えている。
請求項（抜粋）：
活性層上に形成された窒化物系半導体層と、前記窒化物系半導体層上に形成された電極層とを備え、前記電極層は、前記窒化物系半導体層に対する付着力の強い材料を含む第1電極層と、前記第1電極層上に形成され、前記第1電極層よりも前記窒化物系半導体層に対する付着力が弱いとともに、前記電極層の前記窒化物系半導体層に対するコンタクト抵抗を低下させる第2電極層とを含む、窒化物系半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/28 301
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/28 301 H
Fターム (26件)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD35 ,  4M104DD66 ,  4M104DD68 ,  4M104DD71 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (9件)
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