特許
J-GLOBAL ID：200903069476169726
窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041922
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242578
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 高発光効率の窒化ガリウム系半導体レーザを提供する。【解決手段】 有機金属気相成長法により、サファイア基板1上に、窒化ガリウム系半導体レーザ構造2〜9を堆積する。レーザ構造を、水素ガスを含むプラズマ雰囲気中でエッチングし、電流共窄用のリッジ及びレーザ共振器端面を作製する。次に、レーザ構造を1気圧の窒素雰囲気中で30分熱処理する。この熱処理により、エッチング工程でp型不純物が水素原子により不活性化した領域を活性化でき、リーク電流のない高発光効率の窒化ガリウム系半導体レーザを製造することができる。
請求項（抜粋）：
発光素子構造となる窒化ガリウム系半導体多層膜を成長する工程と、前記半導体多層膜を水素原子を含むプラズマ中でエッチングして発光素子構造とする工程と、前記発光素子構造を熱処理する工程とを含む窒化ガリウム系発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
引用文献：
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