特許
J-GLOBAL ID:200903063144019242
液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-041926
公開番号(公開出願番号):特開2005-266799
出願日: 2005年02月18日
公開日(公表日): 2005年09月29日
要約:
【課題】液浸露光時の、露光-PEB間の引き置きによるレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が改善された液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、下記の(Ba)〜(Bc)から選ばれる少なくとも1種類の化合物を含有する液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 (Ba)カチオン部に特定のアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物、 (Bb)カチオン部に特定のアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物及び (Bc)アニオン部に特定のアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、下記の(Ba)〜(Bc)から選ばれる少なくとも1種類の化合物
を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
(Ba)カチオン部に炭素数2以上のフッ素置換されていないアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物、
(Bb)カチオン部に炭素数1以上のフッ素置換されたアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物及び
(Bc)アニオン部に炭素数2以上のフッ素置換されていないアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物。
IPC (3件):
G03F7/039
, G03F7/004
, H01L21/027
FI (3件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, H01L21/30 502R
Fターム (13件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB41
, 2H025FA03
引用特許:
出願人引用 (6件)
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特開昭57-153433号公報
-
パターン形成方法及びその露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-008136
出願人:株式会社日立製作所
-
液浸型露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-121757
出願人:株式会社ニコン
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審査官引用 (7件)
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