新規化合物および有機半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：渡辺徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-329332
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081408
出願日： 2007年12月20日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【課題】低温領域において優れた結晶性や配向性を備えた有機半導体からなる層を形成でき、かつ大気中で作成可能な半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体からなる層を有する有機半導体素子の製造方法であって、基体上に有機半導体前駆体からなる層を形成する工程と、前記有機半導体前駆体に光を照射する工程と、を有し、前記有機半導体前駆体からなる層が、前記有機半導体前駆体としてビシクロ骨格を分子内に少なくとも一つ有するポルフィリン化合物またはアザポルフィリン化合物を含む有機半導体素子の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体からなる層を有する有機半導体素子の製造方法であって、基体上に有機半導体前駆体からなる層を形成する工程と、前記有機半導体前駆体に光を照射する工程と、を有し、前記有機半導体前駆体からなる層が、前記有機半導体前駆体として下記一般式(1)または一般式(2)で示される構造を分子内に少なくとも一つ有するポルフィリン化合物またはアザポルフィリン化合物を含むことを特徴とする有機半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , C07D 487/22 , C07D 495/08

FI (6件)：

H01L29/28 250F , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B , C07D487/22 , C07D495/08

Fターム (47件)：

4C050PA02 , 4C050PA06 , 4C071AA03 , 4C071AA07 , 4C071BB01 , 4C071BB08 , 4C071CC21 , 4C071EE15 , 4C071FF25 , 4C071HH09 , 4C071LL10 , 4H048AA01 , 4H048AB91 , 4H048VA32 , 4H048VA60 , 4H048VB10 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110CC07 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (6件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社
ダイオード素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-316710 出願人：松下技研株式会社
αヘキサチエニールを含む製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-039190 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

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審査官引用 (3件)

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-318202 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-268614 出願人：セイコーエプソン株式会社
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-084465 出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

”Synthesis and thermolysis of a Diels-Alder adduct of pentacene and thiophosgene”

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