特許
J-GLOBAL ID：200903063317561102

高温超伝導電流リードと臨界電流密度増加方法

発明者：
矢山 英樹

矢山 英樹 について


出願人/特許権者：
国立大学法人九州大学

国立大学法人九州大学 について


代理人 (1件)： 林 靖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-087013
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251564
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】本発明は、外部応力や熱サイクルによる膨張、収縮に対して耐性があり、臨界電流密度を増すことができ、端子を接続するとき高温超伝導体を損傷することが少ない高温超伝導電流リードと、高温超伝導電流リードの臨界電流密度増加方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基材面に高温超伝導材料の薄膜が形成され、金属皮膜が被覆された可撓性でテープ状の高温超伝導体8aと、1対の電極端子11と、電極端子11に固定され高温超伝導体8aを補強する支持部材14とを備えた高温超伝導電流リード8であって、高温超伝導材料の結晶のc軸が基材面に対して所定の角度で配向されていることを特徴とする。また、臨界電流密度増加方法は、高温超伝導材料の結晶のc軸を基材表面の法線に対して所定の角度だけ配向させた薄膜を有する高温超伝導リードを形成し、磁場の磁束を結晶のc軸に垂直または基材に垂直な角度で交差する方向に印加する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基材を有し該基材面に高温超伝導材料の薄膜が形成され、且つ該薄膜に金属皮膜が被覆された可撓性でテープ状の高温超伝導体と、前記金属皮膜によって前記高温超伝導体に接合された1対の電極端子と、前記電極端子のそれぞれに固定され前記高温超伝導体を補強する支持部材とを備えた高温超伝導電流リードであって、前記高温超伝導材料の結晶のc軸が前記基材の法線に対して所定の配向角度で配向されていることを特徴とする高温超伝導電流リード。
IPC (4件)：
H01F 6/00 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 ,  H01L 39/04
FI (4件)：
H01F7/22 J ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D ,  H01L39/04
Fターム (22件)：
4M114AA20 ,  4M114AA25 ,  4M114AA29 ,  4M114CC03 ,  4M114DA02 ,  4M114DA17 ,  4M114DA18 ,  4M114DA19 ,  4M114DA32 ,  4M114DB62 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA05 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA41 ,  5G321CA53 ,  5G321DB36 ,  5G321DB37 ,  5G321DB39
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (14件)
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