特許
J-GLOBAL ID：200903063356298257
不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ書き換え方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097746
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285223
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】不揮発性半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。【解決手段】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、2つのメモリセルから成るメモリセル対でのメモリセル間の記憶情報の差によってデータを不揮発的に記憶するメモリセルアレイ6と、当該メモリセルアレイ6に対してデータの書き込むを行う書き込み制御部1とを備えている。書き込み制御部1は、メモリセルアレイ6における各メモリセルの記憶情報を個別に設定することが可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに対してデータの書き込みを行う書き込み制御部と
を備え、
前記メモリセルアレイは、2つのメモリセルから成るメモリセル対でのメモリセル間の記憶情報の差によって当該メモリセル対ごとにデータを不揮発的に記憶し、
前記書き込み制御部は、前記メモリセルアレイにおける各メモリセルの前記記憶情報を個別に設定することが可能である、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C16/02
, G11C16/04
, G11C16/06
G11C17/00 611G
, G11C17/00 624
, G11C17/00 634E
, G11C17/00 641
, G11C17/00 613
5B125BA01
, 5B125BA19
, 5B125CA21
, 5B125DA06
, 5B125DB01
, 5B125EA01
, 5B125EE04
, 5B125EE06
, 5B125EJ05
, 5B125EJ08
, 5B125EJ09
, 5B125FA01
, 5B125FA02
, 5B125FA05
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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