特許
J-GLOBAL ID：200903063700825342

Ni-W系焼結ターゲット材

発明者：
上野 友典

上野 友典 について

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藤本 光晴

藤本 光晴 について

, 
福岡 淳

福岡 淳 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-242952
公開番号（公開出願番号）：特開2009-155722
出願日： 2008年09月22日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】 スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Ni-W系合金膜のバラツキを抑制することが可能なNi-W系ターゲット材を提供する。【解決手段】 Wを3〜15原子%含み、残部Niおよび不可避的不純物からなる焼結ターゲット材であって、前記焼結ターゲット材のX線回折におけるfcc相であるNi固溶体から得られる強度比が、0.30≦I(200)/I(111)≦0.50、0.10≦I(220)/I(111)≦0.30であるNi-W系焼結ターゲット材である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Wを3〜15原子%含み、残部Niおよび不可避的不純物からなる焼結ターゲット材であって、前記焼結ターゲット材のX線回折におけるfcc相であるNi固溶体の強度比が、0.30≦I(200)/I(111)≦0.50、0.10≦I(220)/I(111)≦0.30であることを特徴とするNi-W系焼結ターゲット材。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C22C 19/03 ,  C22C 19/05
FI (3件)：
C23C14/34 A ,  C22C19/03 G ,  C22C19/05 B
Fターム (3件)：
4K029BD11 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (10件)
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