特許
J-GLOBAL ID：200903063985062711

半導体装置の製造方法

発明者：
柿田 真一朗

柿田 真一朗 について

, 
榎本 貴幸

榎本 貴幸 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-346687
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179571
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】HDP膜(高密度プラズマCVD法により成長した絶縁膜)をCMP(化学的機械研磨)法により平坦化する際のHDP突起片の発生を防止して半導体基板におけるスクラッチ傷の発生を防止する。【解決手段】シリコン基板1にトレンチ5を形成する工程と、当該トレンチを埋め込むHDP膜7を成長する工程と、当該HDP膜7の表面を平坦化するCMP工程を含み、HDP膜7を成長する工程では、その表面に生じるテーパ状の突起部7aの傾斜が緩和されるように、HDP膜7の膜厚をシリコン基板1上に2000A程度オーバフィルする膜厚に形成する。HDP膜7の表面の突起部7aの高さや傾斜が緩和されるため、CMP工程においてHDP突起部7aでの折れによるHDP突起片の発生が抑制され、スクラッチ傷の発生が防止できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板にトレンチを形成する工程と、当該トレンチを埋め込む絶縁膜を成長する工程と、前記絶縁膜の表面を平坦化するCMP(化学的機械研磨)工程を含む半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を成長する工程は前記絶縁膜の表面に生じる突起部を丸めた形状となるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L21/76
FI (1件)：
H01L21/76 L
Fターム (11件)：
5F032AA16 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032CA17 ,  5F032DA04 ,  5F032DA22 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA26 ,  5F032DA33
引用特許：
審査官引用 (8件)
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