特許
J-GLOBAL ID：200903064080712190
容量素子及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 手島 勝
, 藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198125
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040005
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】強誘電体キャパシタに対して還元性雰囲気中の熱処理を施しても、容量絶縁膜を構成する強誘電体膜又は高誘電体膜の分極特性が劣化しないようにする。【解決手段】半導体基板100の上に形成された層間絶縁膜101の上に容量素子が形成されている。容量素子は、白金よりなる下部電極102と、水素を吸蔵する元素、例えばチタンが結晶粒界、格子間位置又は空孔に含まれたSBT(SrTaBiO)よりなる容量絶縁膜103と、白金よりなる上部電極104との積層体からなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下部電極と、前記下部電極の上に形成された強誘電体膜又は高誘電体膜よりなる容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜の上に形成された上部電極との積層体からなり、
前記容量絶縁膜中に、水素を吸蔵する元素が含まれていることを特徴とする容量素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 444B
, H01L21/316 B
5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ04
, 5F083AD21
, 5F083AD49
, 5F083FR01
, 5F083JA05
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA19
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA56
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR23
, 5F083PR34
