短波長放射によるリソグラフィのための膜マスク

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-053001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275773
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】高い機械安定性と薄い膜厚とを有し、応力がかからず、そのサブミクロンの構造体が反応性イオン・エッチング方法を使用して丸み付き効果なしに容易に作成される電子ビーム・リソグラフィ用の膜マスクを提供すること。【解決手段】電子ビームまたは粒子ビームを使用して表面領域を形成する膜マスクの場合、マスク・パターンを画定する貫通する開口を備える窒化シリコン層1を、好ましくはシリコンから成る半導体ウエハ2の一方の表面上に設ける。半導体ウエハ2の他方の表面から層付着面までバスタブ形の凹部3が延びている。

請求項（抜粋）：

マスク・パターンを画定する貫通窓を有する少なくとも1つの層(1)と、一方の側の表面上に前記層(1)が付着され、他方の側にバスタブ形の凹部(3)を有する半導体ウエハ(2)とから成り、前記層(1)が窒化シリコン層であることを特徴とするリソグラフィ・マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (3件)：

H01L 21/30 502 P , G03F 1/16 A , H01L 21/30 541 S

引用特許：

審査官引用 (10件)

X線マスクおよび転写方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-337862 出願人：日本電気株式会社
転写マスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-158386 出願人：ホーヤ株式会社
特開平1-289244

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