特許
J-GLOBAL ID：200903071482936245

磁気トンネル接合素子の製法と磁気トンネル接合装置

発明者：
大村 昌良

大村 昌良 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-101449
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298150
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 磁気トンネル接合素子(TMR素子)の製法において、製造歩留りを向上させる。【解決手段】 基板20を覆う絶縁膜22の上に下から順に第1の導電材層、反強磁性層、第1の強磁性層、トンネルバリア層、第2の強磁性層及び第2の導電材層からなる積層を形成した後、第2の導電材層に選択エッチング処理を施してハードマスクを形成し、このマスクを選択マスクとするイオンミリング処理により積層に分離溝38を形成する。残存するハードマスクに選択エッチング処理を施してハードマスク34a〜34cを形成した後、マスク34a〜34cを選択マスクとするイオンミリング処理により積層の残存部を反強磁性層(又は第1の導電材層)に達するまでエッチングして分離溝42を形成し、TMR素子Ta〜Tcを得る。分離溝38,42の側壁の堆積物を除去する。トンネルバリア層の端部が清浄化され、電気的な短絡やリークを防止できる。
請求項（抜粋）：
基板の絶縁性の一主面に第1の導電材層を介して磁気トンネル接合積層を形成する工程であって、前記第1の導電材層の上に下から順に反強磁性層、第1の磁性層、トンネルバリア層及び第2の磁性層を重ねて前記磁気トンネル接合積層を形成するものと、前記磁気トンネル接合積層を覆って第2の導電材層を形成する工程と、前記磁気トンネル接合積層を所望の電極パターンに従って覆うように前記第2の導電材層を残存させるべく前記第2の導電材層に第1の選択エッチング処理を施すことにより前記第2の導電材層の残存部部分からなる第1のハードマスクを形成する工程と、前記磁気トンネル接合積層に前記第1のハードマスクを選択マスクとする第2の選択エッチング処理を施すことにより前記電極パターンに従って前記磁気トンネル接合積層を残存させる工程と、前記磁気トンネル接合積層の残存部を所望の素子パターンに従って覆うように前記第1のハードマスクを残存させるべく前記第1のハードマスクに第3の選択エッチング処理を施すことにより前記第1のハードマスクの残存部分からなる第2のハードマスクを形成する工程と、前記磁気トンネル接合積層の残存部に前記第2のハードマスクを選択マスクとする第4の選択エッチング処理を施して前記磁気トンネル接合積層の残存部を前記反強磁性層に達するまでエッチングすることにより前記第1の磁性層、前記トンネルバリア層及び前記第2の磁性層の各々の残存部分からなる磁気トンネル接合部を形成すると共にこの磁気トンネル接合部の下に前記第1の導電材層及び前記反強磁性層の各々の残存部分からなる第1の電極層を残存させ、しかも前記第2のハードマスクを第2の電極層として残存させる工程と、前記磁気トンネル接合部において前記トンネルバリア層の端部に前記第4の選択エッチング処理の際に堆積した堆積物を除去する工程とを含む磁気トンネル接合素子の製法。
IPC (3件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z
Fターム (3件)：
5D034BA02 ,  5D034BA04 ,  5D034DA07
引用特許：
審査官引用 (11件)
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