ドライエッチング方法及び磁気メモリ装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：逢坂宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-303410
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072491
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】 MRAMのピン層に用いられる特にPtMnを良好にエッチングすることのできるプロセスを提供すること。【解決手段】白金及び/又はマンガンを含有する層を、パルスプラズマを用いてドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法、及びこのドライエッチング方法をピン層の加工に適用したMRAMの製造方法。このMRAMは、磁化方向が固定された磁化固定層と、トンネルバリア層と、磁化方向の変化が可能な磁性層とが積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子によって構成された磁気メモリ素子からなるメモリ部を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

白金及び/又はマンガンを含有する層を、パルスプラズマを用いてドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L21/3065 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12

FI (4件)：

H01L21/302 104C , H01L43/08 Z , H01L43/12 , H01L27/10 447

Fターム (24件)：

5F004AA05 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004CA09 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA24 , 5F004DA29 , 5F004DB08 , 5F004EA40 , 5F004EB02 , 5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA19 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR03 , 5F083PR04 , 5F083PR41

引用特許：

出願人引用 (2件)

磁気記憶装置の製造方法および磁気ヘッドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-246374 出願人：ソニー株式会社
特解2003-31772公報(第5頁左欄24〜34行目、図1(3))

審査官引用 (10件)

磁気記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-213438 出願人：ソニー株式会社
磁気記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-010983 出願人：ソニー株式会社
磁気メモリ装置、その書き込み方法およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-325801 出願人：ソニー株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

エッチング技術の最新動向, 20020701, p.3-15

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