スルホン酸エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032584
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244436
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【解決手段】式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物。【化1】(R1〜R3は水素原子、フッ素原子、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1〜R3のうち少なくとも一つはフッ素原子を含む。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下の波長における透明性を損なうことなく、アルカリ溶解性コントラストと優れたプラズマエッチング耐性を有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物。

IPC (9件)：

C08F28/02 , C07C309/67 , C08F212/14 , C08F220/12 , C08F232/00 , G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (9件)：

C08F28/02 , C07C309/67 , C08F212/14 , C08F220/12 , C08F232/00 , G03F7/004 503A , G03F7/027 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (38件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB06 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 2H025FA12 , 4H006AA01 , 4H006AB46 , 4J100AB07R , 4J100AL26Q , 4J100AP01P , 4J100AP01Q , 4J100AR11R , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA56P , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BB18R , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA62 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (8件)

新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-075440 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
埋込材およびこの埋込材を用いた半導体集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-033316 出願人：三菱電機株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-032675 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Chemical Abstracts, 78:72647
Journal of Photopolymer Science and Technolgy, 2002, Vol.15 No.4, 643-54

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