特許
J-GLOBAL ID：200903066557959005
半導体積層構造およびトランジスタ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-087309
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277047
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】表面品質に優れ、かつ、高いシートキャリア濃度と電子移動度を有するHEMTを実現する半導体積層構造、およびHEMT素子を提供する。【解決手段】第1電子供給層5をAlNによって薄く形成し、さらに第2電子供給層6として傾斜組成層を設けることにより、ヘテロ界面が格子定数差が大きいGaNとAlNとによって形成されているにも関わらず、該界面で生じる応力が傾斜組成層によって緩和され、電子供給層におけるクラックの発生が抑制される。表面にGaNを形成することによって、表面の結晶品質の向上がより図られる。これらにより、良好なショットキー接合を有するゲート電極の形成が実現される。また、デバイス特性への悪影響を及ぼす電流コラプス等の抑制も可能となる。同時に、電子供給層が、ヘテロ界面近傍においてAlリッチな組成を有するように形成されることによって、高いシートキャリア濃度と高い電子移動度とが実現されてなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定の基材と、
前記基材の上に形成された緩衝層と、
前記緩衝層の上に形成され、GaNからなるチャネル層と、
前記チャネル層の上に形成され、AlおよびGaのうち少なくとも一方を含むIII族窒化物からなる電子供給層と、
を備える半導体積層構造であって、
前記電子供給層は、
前記チャネル層の上に形成され、AlxGa1-xNであって0.5≦x≦1.0なる組成を有する前記III族窒化物からなる第1層と、
前記第1層の上に形成され、AlyGa1-yNであって前記xに対し0≦y≦xなる組成を有する前記III族窒化物からなり、かつ、空間分布において上方ほどAlに対するGaの存在比率が大きい第2層と、
を備えることを特徴とする半導体積層構造。
IPC (3件)：
H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GM10
, 5F102GQ01
, 5F102GT03
, 5F102HC01
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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