特許
J-GLOBAL ID：200903059128031782
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348973
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214746
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 主としてLED、LD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vf及び閾値を低下させて素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 基板1と活性層6との間に、基板側から順にn型不純物が1×1017/cm3以下の第1の窒化物半導体層3と、n型不純物が3×1018/cm3以上の第2の窒化物半導体層4と、n型不純物が1×1017/cm3以下の第3の窒化物半導体層5とを有し、前記第2の窒化物半導体層4にn電極が形成されている。第1の層3及び第3の層5はn型不純物濃度が少ないので結晶性の良い下地層となり、結晶性の良い第1の層3上にn型不純物濃度が大きい第2の層4を結晶性良く成長できる。
請求項（抜粋）：
基板と活性層との間に、基板側から順にn型不純物が1×1017/cm3以下の第1の窒化物半導体層と、n型不純物が3×1018/cm3以上の第2の窒化物半導体層と、n型不純物が1×1017/cm3以下の第3の窒化物半導体層とを有し、前記第2の窒化物半導体層にn電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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