特許
J-GLOBAL ID：200903067633004857

基体にESD保護を組み入れた発光ダイオード用基体

発明者：
ウィリアム ディヴィッド コリンズ ザ サード

ウィリアム ディヴィッド コリンズ ザ サード について

, 
ジェローム チャンドラー ブハット

ジェローム チャンドラー ブハット について


出願人/特許権者：
ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッド ライアビリティ カンパニー

ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッド ライアビリティ カンパニー について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-042144
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244220
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 1またはそれ以上の酸化亜鉛層を含む金属酸化物バリスタをセラミック基体と一体に形成し、基体に取付けられている半導体デバイスを静電気放電から保護する。【解決手段】 バリスタを形成していないセラミック基体の部分は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、または窒化ホウ素であることができる。バリスタ部分は、セラミック基体の何れかの部分(セラミック基体の全てを含む)であることができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
上面及び下面を有するセラミック基体であって、上記上面は、上記上面の上に位置する半導体デバイスの電極に電気的に接続される少なくとも1つの金属電極を有し、上記セラミック基体は、上記セラミック基体の上面に取付けられた半導体デバイスを静電気放電(ESD)から保護する金属酸化物バリスタを含むことを特徴とするセラミックデバイス。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (8件)：
5F041AA44 ,  5F041BB13 ,  5F041DA03 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA44
引用特許：
審査官引用 (11件)
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