化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380937
公開番号（公開出願番号）：特開2002-244299
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【解決手段】 (A):有機溶剤(B):ベース樹脂として酸不安定基を有する高分子化合物が更に架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000の高分子化合物(C):酸発生剤を含有してなり、上記ベース樹脂が、式(1’)で示される高分子化合物に、式(I)のアルケニルエーテル化合物、及び式(5a)で示される化合物を反応させることにより得られた高分子化合物である化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】【効果】本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性、再現性にも優れている。

請求項（抜粋）：

(A):有機溶剤(B):ベース樹脂として1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000の高分子化合物(C):酸発生剤を含有してなり、上記ベース樹脂が、下記一般式(1’)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物に、下記一般式(I)又は(II)で示されるアルケニルエーテル化合物、及び下記一般式(5a)で示される化合物を反応させることにより得られた下記一般式(3a’-1)及び/又は(3a’-2)で示される高分子化合物であることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】【化2】(式中、R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基を示し、R<SP>2</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。また、xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R<SP>6</SP>は炭素数1〜18のヘテロ原子を有していてもよい1価の炭化水素基を示し、R<SP>4</SP>とR<SP>5</SP>、R<SP>4</SP>とR<SP>6</SP>、R<SP>5</SP>とR<SP>6</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はそれぞれ炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>4a</SP>は水素原子又は炭素数1〜7の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R<SP>4a</SP>-CHとR<SP>5</SP>又はR<SP>4</SP><SP>a</SP>-CHとR<SP>6</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、R<SP>4a</SP>-CHはR<SP></SP><SP>4a</SP>-CH<SB>2</SB>で示されるR<SP>4</SP>が炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基となる基を示し、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>は炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。Qは、下記一般式(4a)又は(4b)【化3】で示される基を示し、R<SP>8</SP>、R<SP>9</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R<SP>8</SP>とR<SP>9</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>8</SP>、R<SP>9</SP>は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>8a</SP>は水素原子又は炭素数1〜7の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R<SP>8a</SP>-CHとR<SP>9</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、R<SP>8a</SP>-CHはR<SP>8a</SP>-CH<SB>2</SB>で示されるR<SP>8</SP>が炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基となる基を示し、R<SP>9</SP>は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>13</SP>は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。Aは、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。cは2〜8、c’は1〜7の整数である。mは0又は正の整数、nは正の整数で、m+n=yである。p1、p2は正数、q11、q12は正数であり、0<p1/(p1+q11+q12+p2)≦0.8、0<q11/(p1+q11+q12+p2)≦0.8、0<q12/(p1+q11+q12+p2)≦0.8、p1+q11+q12+p2=1を満足する数である。)

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 , H01L 21/30 502 R

Fターム (28件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AA10 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC02 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096DA01 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03

引用特許：

審査官引用 (10件)

橋かけポリマー
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-330237 出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
架橋されたポリマー
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-098487 出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100310 出願人：株式会社東芝

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