特許
J-GLOBAL ID：200903068717908448
コンタクトホール形成用ポジ型ホトレジスト組成物およびコンタクトホールの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117222
公開番号（公開出願番号）：特開平11-015151
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 位相シフト法を用いたコンタクトホールの形成技術において、ディンプルの少ないマスクパターンに充実なコンタクトホールパターン画像を得ることのできるコンタクトホール形成用ポジ型ホトレジスト組成物およびコンタクトホールの形成方法の提供。【解決手段】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物、(C)溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、(B)成分はメチレン鎖を介し4〜6個のベンゼン環が結合しその結合の位置は一つのメチレン鎖に対し他のメチレン鎖がメタ位にあり、かつ各ベンゼン環は水酸基を有しているポリフェノール化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化物を少なくとも1種含有するものである組成物および該組成物を用いるコンタクトホールの形成方法。
請求項（抜粋）：
(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(C)溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、前記(B)成分はメチレン鎖を介し、4〜6個のベンゼン環が結合し、その結合の位置は一つのメチレン鎖に対し他のメチレン鎖がメタ位にあり、かつ各ベンゼン環は水酸基を有しているポリフェノール化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化物を少なくとも1種含有するものであることを特徴とするコンタクトホール形成用ポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/022 601
, G03F 7/004 506
, H01L 21/027
G03F 7/022 601
, G03F 7/004 506
, H01L 21/30 502 R
