特許
J-GLOBAL ID：200903069873496890

超小型イオン源装置および集積型超小型イオン源装置

発明者：
桑野 博喜

桑野 博喜 について

, 
田面木 真也

田面木 真也 について

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長澤 純人

長澤 純人 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-240059
公開番号（公開出願番号）：特開2009-070749
出願日： 2007年09月14日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】超小型のイオン源を用いることによりイオン源を駆動するための不要な電力を削減し、異なるプロセスを同一の真空装置で同時に行うことを可能とし、多品種・少量のMEMS製品の製造を簡便・安価に行える経済性に優れた超小型イオン源装置および集積型超小型イオン源装置を提供する【解決手段】対向する二つのカソード電極6,7が、どちらかまたは両方にイオン引き出し用のメッシュ状の孔をシリコン基板1,3上に有している。アノード電極8が、各カソード電極6,7の中間部に配置され、中心部に開口があるシリコン基板2を有する。絶縁性のパイレックスガラス基板4,5が、各カソード電極6,7とアノード電極8間を絶縁する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
低気圧にてプラズマ放電を発生する一組のアノード電極およびカソード電極からなるプラズマ発生用電極を有する、イオン加工用の超小型イオン源であって、 どちらかまたは両方にイオン引き出し用のメッシュ状の孔をシリコン基板上に有している、対向する二つのカソード電極と、 各カソード電極の中間部に配置され、中心部に開口があるシリコン基板を有するアノード電極と、 各カソード電極とアノード電極間を絶縁する絶縁基板とを、 有することを特徴とする超小型イオン源装置。
IPC (2件)：
H01J 27/08 ,  H01J 37/08
FI (2件)：
H01J27/08 ,  H01J37/08
Fターム (2件)：
5C030DE01 ,  5C030DG07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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