特許
J-GLOBAL ID：200903069957731240
レジストパターン形成方法、ポジ型レジスト組成物及び積層体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-350353
公開番号（公開出願番号）：特開2004-184637
出願日： 2002年12月02日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】パターンサイズの制御性よくレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、該方法に用いられるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いた積層体を提供すること。【解決手段】下記一般式(I)で表される(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、プレべークし、選択的に露光した後、露光後加熱(PEB)を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンのパターンサイズを加熱処理により狭小する。【化1】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、プレべークし、選択的に露光した後、露光後加熱(PEB)を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、得られたレジストパターンのパターンサイズを加熱処理により狭小する狭小工程とを備えるレジストパターン形成方法であって、
前記(A)成分として、下記一般式(I)
IPC (3件)：
G03F7/40
, G03F7/039
, H01L21/027
G03F7/40 511
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB04
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB23
, 2H025CB30
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025CC17
, 2H025FA17
, 2H025FA33
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096GA08
, 2H096HA01
, 2H096HA05
