特許
J-GLOBAL ID：200903070626987234

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者：
新田 和行

新田 和行 について

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佐藤 和史

佐藤 和史 について

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川名 大助

川名 大助 について

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嶋谷 聡

嶋谷 聡 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-264529
公開番号（公開出願番号）：特開2002-072480
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月12日
要約：
【要約】【課題】 解像性及び耐エッチング性に優れ、サーマルフロープロセスにより単位温度当りの寸法変化量が小さいレジストパターンを与えることができ、かつ経時安定性の良好なポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)その中に存在するフェノール性水酸基若しくはカルボキシル基の少なくとも一部の水素原子が酸解離性基で置換されたヒドロキシスチレン系共重合体の少なくとも1種からなる基材樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)架橋性ポリビニルエーテル化合物、(D)炭素原子と酸素原子と水素原子のみから構成されたカルボン酸及び(E)有機アミンを含有してなるポジ型レジスト組成物とする。
請求項（抜粋）：
(A)その中に存在するフェノール性水酸基若しくはカルボキシル基の少なくとも一部の水素原子が酸解離性基で置換されたヒドロキシスチレン系共重合体の少なくとも1種からなる基材樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)架橋性ジビニルエーテル化合物、(D)炭素原子と酸素原子と水素原子のみから構成された有機カルボン酸及び(E)有機アミンを含有してなるポジ型レジスト組成物。
IPC (10件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 2/44 ,  C08F257/00 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/17 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027
FI (10件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 2/44 C ,  C08F257/00 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/17 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (53件)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC23 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ00 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096LA17 ,  4J002BC121 ,  4J002ED027 ,  4J002EF028 ,  4J002EF048 ,  4J002EF078 ,  4J002EF098 ,  4J002EN019 ,  4J002EN029 ,  4J002EN109 ,  4J002EQ016 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03 ,  4J011PA65 ,  4J011PC02 ,  4J011QA11 ,  4J011UA06 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01 ,  4J026AA20 ,  4J026BA17 ,  4J026DB36 ,  4J026FA05 ,  4J026FA09 ,  4J026GA06 ,  4J026GA07
引用特許：
審査官引用 (9件)
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