特許
J-GLOBAL ID：200903021785010020

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-043395
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268775
出願日： 2005年02月21日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 白色の演色性に優れたGaN系化合物半導体からなる白色発光ダイオード素子を実現できるようにする。 【解決手段】 青色発光ダイオード部10と、該青色発光ダイオード部10の上にエピタキシャル成長してなる赤色発光層15と、YAG蛍光体を含む絶縁材19とから構成されている。赤色発光層15は、例えば禁制帯幅が1.9eVであるアンドープのIn0.4Ga0.6Nからなり、p型半導体層14の上に互いに間隔をおいた複数の島状に形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の発光光を出力する発光ダイオード部と、 前記発光ダイオード部に設けられ、前記第1の発光光を吸収して第2の発光光を放出する半導体膜とを備え、 前記半導体膜は、前記第2の発光光を前記第1の発光光による光励起によって放出することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (3件)：
H01L33/00 F ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 N
Fターム (15件)：
5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041DA46 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体発光素子およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-362839   出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-263878   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター
審査官引用 (20件)
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