特許
J-GLOBAL ID：200903076439397685

半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに液晶表示装置

発明者：
福島 康守

福島 康守 について

, 
高藤 裕

高藤 裕 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 前田 弘 ,  竹内 祐二 ,  米田 圭啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-110250
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294703
出願日： 2005年04月06日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】半導体基板1に対し、その一部を剥離層17に沿って確実に剥離すると共に、ゲート電極8に対向する領域では比較的薄くする一方、その他の領域では比較的厚く形成することにより、TFT50の特性を向上させる。【解決手段】半導体基板1にゲート電極8を形成するゲート電極形成工程と、半導体基板1の表面とゲート電極8の表面とに対応して形成される表面段差形状をなだらかな表面段差形状に補償するためのBPSG膜15を、ゲート電極8及び半導体基板1を覆うように形成する絶縁膜形成工程と、半導体基板1に対し、BPSG膜15を介して剥離用物質をイオン注入することにより、剥離層を形成する剥離層形成工程と、半導体基板1の一部を剥離層に沿って分離する分離工程とを行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、 上記半導体基板の表面とゲート電極の表面とに対応して形成される表面段差形状をなだらかな表面段差形状に補償するための絶縁膜を、上記ゲート電極及び上記半導体基板を覆うように形成する絶縁膜形成工程と、 上記半導体基板に対し、上記絶縁膜を介して剥離用物質をイオン注入することにより、剥離層を形成する剥離層形成工程と、 上記半導体基板の一部を上記剥離層に沿って分離する分離工程とを備えている ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/283 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L29/78 618D ,  H01L21/283 B ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616L
Fターム (40件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104EE05 ,  4M104EE15 ,  4M104GG09 ,  4M104HH12 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110BB02 ,  5F110CC04 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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