特許
J-GLOBAL ID：200903016053704033

メッキ設備及び方法

発明者：
ワン,フイ

ワン,フイ について


出願人/特許権者：
エーシーエム リサーチ,インコーポレイティド

エーシーエム リサーチ,インコーポレイティド について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-531609
公開番号（公開出願番号）：特表2002-503766
出願日： 1999年01月15日
公開日（公表日）： 2002年02月05日
要約：
【要約】上部にバリアー層を有する基材に直接に伝導性フィルムをメッキする設備であって、管109の内部に配置されたアノードロッド(1)、並びに筒状壁(107、105)(103、101)の間にそれぞれ配置されたアノードリング(2及び3)を有する設備。アノード(1、2、3)には、それぞれ電力供給源(13、12及び11)によって電力を供給する。電解質(34)は、ポンプ(33)によって送出して、フィルター(32)を通した後で、液体質量流量計(LMFC)(21、22、23)の入口に達するようにする。LMFC(21、22、23)は、所定の流量で電解質を、アノード(3、2、1)をそれぞれ有するサブメッキ浴に送る。電解質を、ウェハー(31)と筒状壁(101、103、105、107及び109)の上部との間の隙間に通して流した後で、それぞれ筒状壁(100、101)(103、105)(107、109)の間の空間を通して、タンク36に戻す。圧力漏出バルブ(38)を、ポンプ(33)の出口と電解質タンク(36)との間に配置して、LMFC(21、22、23)が閉じているときは、電解質が漏れてタンク(36)に戻るようにする。駆動機構(30)を使用して、ウェハーをz軸の周りに回転させ、またウェハーを示されているx、y及びz方向に振動させる。フィルター(32)は、0.1又は0.2μmよりも大きい粒子をろ過して、加えられる粒子が少ないメッキプロセスを得るようにする。
請求項（抜粋）：
基材表面の第1の部分に所望の厚さまでフィルムをメッキすること、及び 前記基材表面の少なくとも第2の部分に所望の厚さまでフィルムをメッキして、所望の厚さの連続フィルムを前記基材に提供すること、を含む基材表面に所望の厚さまでフィルムをメッキする方法。
IPC (5件)：
C25D 5/02 ,  C25D 5/08 ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/12
FI (5件)：
C25D 5/02 F ,  C25D 5/08 ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/12 G
Fターム (31件)：
4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC06 ,  4K024CA04 ,  4K024CA05 ,  4K024CA07 ,  4K024CA15 ,  4K024CB02 ,  4K024CB03 ,  4K024CB05 ,  4K024CB06 ,  4K024CB08 ,  4K024CB09 ,  4K024CB13 ,  4K024CB14 ,  4K024CB15 ,  4K024CB16 ,  4K024CB20 ,  4K024CB21 ,  4K024CB24 ,  4K024CB26 ,  4K024DB10 ,  4K024FA02 ,  4K024GA16
引用特許：
出願人引用 (22件)
全件表示
審査官引用 (27件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM