半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-134957
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313773
出願日： 2005年05月06日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：

【課題】第1導電型領域とよりも第2導電型領域とのほうが低いコンタクト抵抗率となる金属材料を用いて第1導電型領域の接点を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】周辺半導体領域5の不純物の濃度値よりも高い濃度値のp型不純物を含むp型領域5と、周辺半導体領域5の不純物の濃度値よりも高い濃度値のn型不純物を含み、p型領域1と重複するように位置するn型領域2と、少なくともn型領域2上に位置する金属層3とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

周辺半導体領域と、前記周辺半導体領域の不純物の濃度値よりも高い濃度値の第1導電型不純物を含む第1導電型領域と、前記周辺半導体領域の不純物の濃度値よりも高い濃度値の第2導電型不純物を含み、前記第1導電型領域と重複するように位置する第2導電型領域と、少なくとも前記第2導電型領域上に位置する金属層とを備える、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 , H01L 21/768 , H01L 29/861 , H01L 29/808 , H01L 21/337

FI (4件)：

H01L21/28 301R , H01L21/90 C , H01L29/91 F , H01L29/80 C

Fターム (31件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104DD78 , 4M104FF16 , 4M104GG02 , 4M104GG11 , 4M104HH15 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH07 , 5F033JJ07 , 5F033KK01 , 5F033NN01 , 5F033NN07 , 5F033PP19 , 5F033QQ58 , 5F033QQ69 , 5F033QQ73 , 5F033XX09 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GT01 , 5F102HC24

引用特許：

審査官引用 (10件)

絶縁基板を有する発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-156095 出願人：晶元光電股ふん有限公司
無ラッチアップ型パワーMOS-バイポーラートランジスター
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-503147 出願人：クリーインコーポレイテッド
特開昭52-117063

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