特許
J-GLOBAL ID：200903073405620319

半導体装置の製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法、並びに増幅器

発明者：
藤田 耕一郎

藤田 耕一郎 について

, 
高橋 直

高橋 直 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019392
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223498
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 移動体通信用の高出力電流トランジスタに適用するには、現状のHBTは電流利得の変化率が大きすぎる。また、生産性よくしかも成長室を汚染することなく成長できる方法がない。【解決手段】 炭素ドープ化合物半導体層を成長し、その上に他の化合物半導体層を成長した後、水素雰囲気中で熱処理する。この方法を用いて炭素ドープ層形成したHBTを製造し、このHBTをパワーアンプに適用する。
請求項（抜粋）：
炭素を不純物として添加した層を含む半導体装置を製造する工程において、炭素ドープ層成長後、炭素ドープ層の上に少なくとも1層以上の他の半導体層を成長した後、水素雰囲気中で熱処理する工程を少なくとも1回含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 29/72 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205
Fターム (26件)：
5F003BA06 ,  5F003BB01 ,  5F003BF03 ,  5F003BF06 ,  5F003BG03 ,  5F003BM03 ,  5F003BP08 ,  5F003BP32 ,  5F003BP42 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045EE12 ,  5F045EK27 ,  5F045HA16
引用特許：
審査官引用 (11件)
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