特許
J-GLOBAL ID：200903073439311510

半導体モジュール及びその製造方法、並びにICカード等用モジュール

発明者：
西川 昌孝

西川 昌孝 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 藤本 英介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-368945
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168768
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 耐環境試験条件に匹敵する高温高湿保存、高温高湿バイアス、蒸気加圧等の過酷な環境でも、水分の浸入に伴う不具合の発生するのを抑制防止し、耐環境試験等においても不良の発生を低減し、歩留まりを向上させ、かつ使用環境に依存する信頼性を向上させ得る半導体モジュール及びその製造方法、並びにICカード等用モジュールを提供する。【解決手段】 絶縁材料の表裏面に導電パターンを形成したプリント配線基板20を備え、このプリント配線基板20にICチップ4を搭載して樹脂封止する。そして、ICチップ4のプリント配線基板20に対する搭載面とは反対側の面に、金属薄板あるいは水分浸透抑制薄板からなる薄板2を接着する。
請求項（抜粋）：
絶縁材料の表裏面に導電パターンを形成したプリント配線基板を備え、このプリント配線基板に半導体チップを搭載して樹脂封止した半導体モジュールにおいて、前記半導体チップの前記プリント配線基板に対する搭載面とは反対側の面に、金属薄板あるいは水分浸透抑制薄板を接着したことを特徴とする半導体モジュール。
IPC (6件)：
H01L 23/29 ,  B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/31
FI (5件)：
B42D 15/10 521 ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 301 D ,  H01L 23/30 D ,  G06K 19/00 K
Fターム (35件)：
2C005MA11 ,  2C005MA15 ,  2C005MB01 ,  2C005MB08 ,  2C005MB10 ,  2C005NA02 ,  2C005NA06 ,  2C005NA08 ,  2C005NA09 ,  2C005NB01 ,  2C005NB03 ,  2C005NB16 ,  2C005NB22 ,  2C005NB37 ,  2C005PA01 ,  2C005RA22 ,  2C005RA23 ,  2C005TA21 ,  2C005TA22 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DB17 ,  4M109EE03 ,  4M109GA03 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5F044AA02 ,  5F044CC05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB12 ,  5F061FA03
引用特許：
出願人引用 (12件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM