特許
J-GLOBAL ID：200903073466330950
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-345466
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237877
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 HSG型スタックトキャパシタを有するDRAMにおいて歩留まりを向上させることを目的とする。【解決手段】 シリコン基板上1に層間絶縁膜を介してアモルファスシリコンが多結晶化したポリシリコン膜12が存在し、その多結晶化したポリシリコンスン膜12とシリコン基板1とがポリシリコンプラグ13によって電気的に接続されている。アモルファスシリコンが結晶化したポリシリコン膜(HSG化処理後のドープトポリシリコン膜12)表面に微細な凹凸を有している。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成されたポリシリコン膜と、このポリシリコン膜上に形成されたアモルファスシリコン膜を結晶化したポリシリコン膜と、前記結晶化したポリシリコン膜表面に形成された微細な凹凸部とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 A
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 B
, H01L 27/10 621 C
