特許
J-GLOBAL ID：200903074673888410

半導体装置の製造方法

発明者：
三沢 信裕

三沢 信裕 について

, 
河野 隆宏

河野 隆宏 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-095433
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294630
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】下地膜の上にバリアメタル膜を介して低抵抗金属膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜上でのバリアメタルの研磨の際に配線溝又は接続孔内に導電膜のリセスの発生を防止すること。【解決手段】半導体基板1の上方に絶縁膜8を形成する工程と、絶縁膜8に溝95又は孔を形成する工程と、溝9又は孔の内面と絶縁膜8の上面の上に、第1の元素を含むバリアメタル膜11を形成する工程と、バリアメタル膜11の上に金属よりなる主導電膜12を形成する工程と、主導電膜12を研磨することにより絶縁膜8の上面上の主導体膜12を除去してバリアメタル膜11を露出させた後に、第1の元素との反応により有機錯体を作る有機錯イオンを含む薬液を使用してバリアメタル膜11と主導体膜12を研磨して絶縁膜8上面から除去する工程を含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝又は孔を形成する工程と、前記溝又は前記孔の内面と前記絶縁膜の上面の上に、第1の元素を含む金属からなるバリアメタル膜を形成する工程と、前記バリアメタル膜の上に金属よりなる主導電膜を形成する工程と、前記主導電膜を研磨することにより前記絶縁膜の上面上の前記主導体膜を除去して前記バリアメタル膜を露出させた後に、前記第1の元素との反応により有機錯体を作る有機錯イオンを含む薬液を使用して前記バリアメタル膜と前記主導体膜を研磨して前記絶縁膜上面から除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/304 621
FI (3件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/304 621 D
Fターム (50件)：
4M104AA01 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB37 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN39 ,  5F033NN40 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033TT02 ,  5F033XX01
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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