特許
J-GLOBAL ID：200903089654390882

半導体装置及びその製造方法

発明者：
村上 正紀

村上 正紀 について

, 
奥 健夫

奥 健夫 について

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井口 勝次

井口 勝次 について

, 
土居 司

土居 司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224018
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070202
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 アルミ系配線と同等の抵抗を有し、かつ、メタル配線形成完了後、ROM書込みのためのイオン注入と活性化のための熱処理を実施でき、ROM受注より出荷までの期間を最短にできる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 シリコン基板1上に形成された複数のトランジスタと該トランジスタの少なくとも1つに接続される金属配線12からなり、複数のトランジスタのうちの所望のトランジスタの閾値電圧が、金属配線12形成後にイオン注入により制御される半導体装置であって、金属配線12の少なくとも一部が銅又は銅合金からなり、金属配線12とトランジスタとが、その一部においてバリア層30を介在して接続されている半導体装置。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成された複数のトランジスタと該トランジスタの少なくとも1つに接続される金属配線からなり、前記複数のトランジスタのうちの所望のトランジスタの閾値電圧が、前記金属配線形成後にイオン注入により制御される半導体装置であって、前記金属配線の少なくとも一部が銅又は銅合金からなり、前記金属配線とトランジスタとが、その一部においてバリア層を介在して接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 27/10 433 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 D ,  H01L 21/90 C
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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