特許
J-GLOBAL ID：200903076669209683
有機EL表示装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-153018
公開番号（公開出願番号）：特開2009-301789
出願日： 2008年06月11日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】有機EL表示装置において、有機EL層、上部電極、補助電極等、蒸着によって形成する薄膜の形成精度を向上させる。【解決手段】回路基板101に近接させて蒸着マスク21を設置する。回路基板101の上側には、マグネット103、磁界強度を調整するための中間板102が配置されている。蒸着マスク21はマスクシート23とマスクフレーム22から構成されている。回路基板101の熱膨張係数をα(S)とし、マスクフレーム22の熱膨張係数をα(F)とした場合、(α(S) -5×10-6°C-1) ≦ α(F) ≦ (α(S) +10×10-6°C-1)の関係とし、かつ、マスクフレーム22の熱膨張係数を前記マスクシート23の熱膨張係数よりも大きくすることによって高精度のマスク蒸着を可能とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
回路基板上に下部電極、有機EL層、上部電極を形成した有機EL表示装置の製造方法であって、
前記有機EL層または前記上部電極は蒸着マスクを用いた蒸着によって形成し、
前記蒸着マスクは開口部を形成したマスクシートと前記マスクシートを支持するマスクフレームによって形成され、
前記回路基板の熱膨張係数をα(S)とし、前記マスクフレームの熱膨張係数をα(F)とした場合、(α(S) -5×10-6°C-1)≦ α(F) ≦ (α(S) +10×10-6°C-1)の関係が存在し、かつ、
前記マスクフレームの熱膨張係数は前記マスクシートの熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
IPC (4件)：
H05B 33/10
, H01L 51/50
, H05B 33/26
, C23C 14/04
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/26 Z
, C23C14/04 A
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC35
, 3K107CC45
, 3K107DD37
, 3K107FF05
, 3K107GG04
, 3K107GG33
, 4K029BA62
, 4K029BB03
, 4K029CA01
, 4K029DB06
, 4K029HA02
, 4K029JA01
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
