特許
J-GLOBAL ID：200903076872937244

粒子線マルチビームリソグラフイー

発明者：
ハンス ロシュナー

ハンス ロシュナー について

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ゲルハルト シュテングル

ゲルハルト シュテングル について

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ヘルベルト ブオナッハ

ヘルベルト ブオナッハ について


出願人/特許権者：
イーエムエス イオーネン ミクロファブリカチオンス ジステーメ ゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング

イーエムエス イオーネン ミクロファブリカチオンス ジステーメ ゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 小林 和憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230286
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252207
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 高輝度の副ビームを与えるけれどもそれら副ビームの列全体にわたって互いに実質的に等価であるようなマルチビームリソグラフイー装置を提供する。【解決手段】 粒子源と、現断面にわたって実質的に均一な粒子線ビームを作り出すためのコリメータ光学系と、及びビームの方向へ見てこのコリメータ光学系の次に位置していてこのビームを複数本の副ビームに成形し、かつそれら副ビームを基材の表面の上に焦点集中させるマルチビーム光学系とを含み、その際それぞれの副ビームについて1個の偏向ユニットが設けられており、この偏向ユニットがマルチビーム光学系の次に位置していて、それぞれの副ビームの個々の結像収差を所望の目標位置について補正し、及び/又は書き込み仮定の間に基材表面の上で副ビームを位置決めするのに適しているようにする。
請求項（抜粋）：
粒子源(103、203、403)を有して荷電粒子の照明ビーム(105、205、405)を作り出す照明係(121、242、441)と、及びこのビームの方向へ見て照明系の次に位置していて複数本の副ビームを形成するための複数個の開口の列を有する少なくとも1枚の開口板(106、206、406)を含むマルチビーム光学系(108、208、408)とが含まれ、その際上記マルチビーム光学系はそれら副ビームを基材(120、220-420)の表面の上に焦点集中させる、荷電粒子によるマルチビームリソグラフイーのための装置において、それぞれの副ビーム(107、207、407)について1個の偏向ユニット(110、210、410)が設けられており、その際この偏向ユニットはマルチビーム光学系の中に配置されていて、それぞれの副ビームの個々の結像収差を所望の目標位置について補正し、及び/又は書き込み過程の間に基材表面の上に副ビームを位置決めするのに適している、上記装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 506
FI (2件)：
H01L 21/30 541 W ,  G03F 7/20 506
Fターム (11件)：
2H097AA03 ,  2H097CA03 ,  2H097CA16 ,  5F056AA33 ,  5F056BA05 ,  5F056BA08 ,  5F056CB11 ,  5F056CB32 ,  5F056CC01 ,  5F056EA02 ,  5F056EA04
引用特許：
審査官引用 (21件)
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