特許
J-GLOBAL ID：200903078627637580
パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-138658
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311527
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】半導体チップと導体パターンとの接合信頼性を低下させたり、パワーモジュールの熱サイクル寿命を低減させたり、さらには、パワーモジュール用基板の外観品質を低下させたりすることなく、パワーモジュールのコンパクト化を図る。【解決手段】セラミックス板11の表面に、導体パターン12がろう材13により接合され、この導体パターン12の表面12cに半導体チップ15が設けられるパワーモジュール用基板14であって、導体パターン12の外表面のうち、セラミックス板11の表面に接合した裏面12bに、セラミックス板11の表面に向けて開口して、セラミックス板11の表面との間に、ろう付け時の溶融したろう材を溜め込み可能なろう溜め凹部12dが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
セラミックス板の表面に、導体パターンがろう材により接合され、この導体パターンの表面に半導体チップが設けられるパワーモジュール用基板であって、
導体パターンの外表面のうち、セラミックス板の表面に接合された裏面に、セラミックス板の表面に向けて開口して、セラミックス板の表面との間に、ろう付け時の溶融したろう材を溜め込み可能なろう溜め凹部が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 23/15
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L23/12 J
, H01L23/14 C
, H01L25/04 C
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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