特許

J-GLOBAL ID：200903078769658976

単結晶GaN基板の製造方法

発明者： 土井 成博 ,  清見 和正 ,  藤村 勇夫
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (3件)： 岸本 達人 ,  星野 哲郎 ,  山下 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-201150
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028259
出願日： 2006年07月24日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】研磨工程における不良を低減し、研磨時間を短縮して、表面モフォロジーが良好な半導体層が得られる成長用基板である単結晶GaN基板又は半導体基板として好適に用いることができる単結晶GaN基板を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】GaN単結晶を成長させる成長工程と、成長後の該GaN単結晶を該GaN単結晶の成長軸と交わる方向にスライスして、対向するスライス面を有する単結晶GaN基板を作成するスライス工程と、該単結晶GaN基板のスライス面を、酸水溶液又は塩基水溶液を用いて、100°C未満の温度にてエッチングするマイルドエッチング工程と、該マイルドエッチング工程後に該スライス面を研磨処理する研磨工程とを含むことを特徴とする単結晶GaN基板の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

GaN単結晶を成長させる成長工程と、 成長後の該GaN単結晶を該GaN単結晶の成長軸と交わる方向にスライスして、対向するスライス面を有する単結晶GaN基板を作成するスライス工程と、 該単結晶GaN基板のスライス面を、酸水溶液又は塩基水溶液を用いて、100°C未満の温度にてエッチングするマイルドエッチング工程と、 該マイルドエッチング工程後に該スライス面を研磨処理する研磨工程とを含むことを特徴とする単結晶GaN基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/10

FI (4件)：

H01L21/304 611A ,  C30B29/38 D ,  C30B33/10 ,  H01L21/304 611W

Fターム (15件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EG03 ,  4G077EG14 ,  4G077FG06 ,  4G077FG12 ,  4G077FG13 ,  4G077FG16 ,  4G077FG17 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (4件)

• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-183446   出願人：住友電気工業株式会社
• 単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法、窒化ガリウム基板、および窒化物半導体エピタクシャル基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-014838   出願人：住友電気工業株式会社
• 高表面品質GaNウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-503865   出願人：アドバンストテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド
• 窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022181   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 基板製造方法及び半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-355857   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-074966   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体ウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357982   出願人：信越半導体株式会社
• GaN単結晶基板の製造方法及びGaN単結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-276337   出願人：住友電気工業株式会社